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J-GLOBAL ID：200903003072761744

半導体チップの実装構造および半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ

Inventor： 小野 美智子 ,  小松 哲郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996094167
Publication number (International publication number)：1997283555
Application date： Apr. 16, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】接続部の導電性が確保された上に、バンプ相互間の絶縁性に信頼性が得られ、微細化、狭ピッチ化に対応できる半導体チップの実装構造を提供することにある。【解決手段】電極となる複数のバンプ33を有する半導体チップ31と、前記半導体チップ31が前記バンプ33を介して接続された配線基板35と、前記バンプ33と前記配線基板35との間に介挿され導電部となる熱可塑性導電接着剤34と、前記半導体チップ31と前記配線基板との間に充填された前記バンプ33及び前記熱可塑性導電接着剤34を封止する熱可塑性絶縁樹脂37とを具備したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

電極となる複数のバンプを有する半導体チップと、前記半導体チップが前記バンプを介して接続された配線基板と、前記バンプと前記配線基板との間に介挿され導電部となる熱可塑性導電接着剤と、前記半導体チップと前記配線基板との間に充填された前記バンプ及び前記熱可塑性導電接着剤を封止する熱可塑性絶縁樹脂とを具備したことを特徴とする半導体チップの実装構造。

IPC (4)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/321

FI (5)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 E ,  H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/92 603 C