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J-GLOBAL ID：200903003086353517

撮像装置

Inventor： 早川 慎吾
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002109347
Publication number (International publication number)：2003303949
Application date： Apr. 11, 2002
Publication date： Oct. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】 各々の光電変換層から出力される光電変換信号の分光感度特性を良好なものとし、撮影画像の色再現性を良好なものとすることを課題する。【解決手段】 半導体の深さ方向に複数の光電変換部を有する画素を複数配列した撮像領域と、前記撮像領域の光の入射側に配置された、可視波長域内の光の透過率が、光の波長が長くなるに従い低下する特性を持つフィルタとを有することを特徴とする撮像装置を提供する。

Claim 1：

半導体の深さ方向に複数の光電変換部を有する画素を複数配列した撮像領域と、前記撮像領域の光の入射側に配置された、可視波長域内の光の透過率が、光の波長が長くなるに従い低下する特性を持つフィルタと、を有することを特徴とする撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (3)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 27/14 D

F-Term (9)：

4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118CA03 ,  4M118CA27 ,  4M118CA34 ,  4M118GC07 ,  5C024CY04 ,  5C024CY47 ,  5C024EX51

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-133772
  
• 赤外吸収ガラス及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-156617   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 特開昭62-133772
  
• 特開平1-134966