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J-GLOBAL ID:200903003088133689

非可逆回路素子およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999312332
Publication number (International publication number):2001136006
Application date: Nov. 02, 1999
Publication date: May. 18, 2001
Summary:
【要約】【課題】 電気的性能の良好な高性能かつ小型の非可逆回路素子とその製造方法を提供することである【解決手段】 磁性体内に互いに絶縁された状態で埋設した複数の電極ラインを有する磁気回転子と、当該磁気回転子に直流磁界を印加する永久磁石を備えた非可逆回路素子であって、前記複数の電極ラインは略同一の平面上に形成されるとともに直流磁界印加方向に互いに交差する部分を有し、当該交差部分の電極ラインに挟まれる領域を非磁性の絶縁体、または、前記磁性体よりも飽和磁束密度が小さい絶縁体、または、前記磁性体で形成する。
Claim (excerpt):
磁性体内に互いに絶縁された状態で埋設した複数の電極ラインを有する磁気回転子と、当該磁気回転子に直流磁界を印加する永久磁石を備えた非可逆回路素子であって、前記複数の電極ラインは略同一の平面上に形成されるとともに直流磁界印加方向に互いに交差する部分を有し、当該交差部分の電極ラインに挟まれる領域を非磁性の絶縁体、または、前記磁性体よりも飽和磁束密度が小さい絶縁体、または、前記磁性体で形成することを特徴とする非可逆回路素子。
IPC (3):
H01P 1/36 ,  H01P 1/375 ,  H01P 11/00
FI (3):
H01P 1/36 A ,  H01P 1/375 ,  H01P 11/00 P
F-Term (2):
5J013FA03 ,  5J013FA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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