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J-GLOBAL ID:200903003097635646

ポジ型レジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003039501
Publication number (International publication number):2004004561
Application date: Feb. 18, 2003
Publication date: Jan. 08, 2004
Summary:
【課題】170nm以下の波長の光に対する透過率に優れ、特にF2エキシマレーザーリソグラフィに適したレジスト組成物を提供する。【解決手段】それ自体はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂、及び酸発生剤を含有するポジ型レジスト組成物であって、該樹脂中のハロゲン原子含量が40重量%以上であり、該樹脂を構成する構造単位の少なくとも1個が、脂環式炭化水素骨格を有する構造単位であり、該脂環式炭化水素骨格を有する構造単位中に酸の作用で該樹脂をアルカリ水溶液に可溶とせしめる基を少なくとも1つ、及びハロゲン原子を少なくとも1つ有してなることを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
それ自体はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂、及び酸発生剤を含有するポジ型レジスト組成物であって、該樹脂中のハロゲン原子含量が40重量%以上であり、該樹脂を構成する構造単位の少なくとも1個が、脂環式炭化水素骨格を有する構造単位であり、該脂環式炭化水素骨格を有する構造単位中に酸の作用で該樹脂をアルカリ水溶液に可溶とせしめる基を少なくとも1つ、及びハロゲン原子を少なくとも1つ有してなることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (5):
G03F7/039 ,  C08F32/02 ,  C08G61/08 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027
FI (5):
G03F7/039 601 ,  C08F32/02 ,  C08G61/08 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R
F-Term (34):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J032CA36 ,  4J032CB01 ,  4J032CB04 ,  4J032CF03 ,  4J100AR04R ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA06P ,  4J100BA15P ,  4J100BB07P ,  4J100BB07Q ,  4J100BB07R ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (17)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • Synthesis of Novel Fluoropolymer for 157nm Photore

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