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J-GLOBAL ID：200903003105606375

半導体素子の製造方法

Inventor： 野崎 義明
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992333099
Publication number (International publication number)：1994181334
Application date： Dec. 14, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 受光素子の活性層内の光キャリアのライフタイムを長くする。【構成】 P型半導体基板1の裏面からのみ酸素を拡散し酸素拡散層5を形成する。P型半導体基板1の裏面の酸素濃度3を活性層の酸素濃度よりも高くする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一方の面からのみ酸素を拡散する工程を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/322

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-206830
  
• 特開平2-181477
  
• 特開昭63-142822
  
• 特開平4-355959