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J-GLOBAL ID：200903003114892267

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法

Inventor：
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995152676
Publication number (International publication number)：1995312350
Application date： Mar. 27, 1991
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】 バッファ層上に成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を改善する。窒化ガリウム系化合物半導体を安定して、歩留よく成長させる。【構成】 バッファ層の上に、有機金属化合物気相成長法で反応容器内に反応ガスを供給して窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる。バッファ層と窒化ガリウム系化合物半導体の両方を有機金属化合物気相成長法で成長させる。窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる反応容器内において、窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、一般式を、GaXAl1-XN(但しXは0.5≦X≦1の範囲である)とするバッファ層を、成長温度を200°C以上900°C以下にして成長させる。
Claim (excerpt)：
バッファ層の上に、有機金属化合物気相成長法で反応容器内に反応ガスを供給して窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法において、バッファ層と窒化ガリウム系化合物半導体の両方を有機金属化合物気相成長法で成長させると共に、窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる反応容器内において、窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、一般式を、GaXAl1-XN(但しXは0.5≦X≦1の範囲である。)とするバッファ層を、成長温度を200°C以上900°C以下にして成長させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 特開平4-297023
  • 特開昭60-173829
  • 特開昭52-023600
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Cited by examiner (1)
  • 特開平4-297023

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