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J-GLOBAL ID:200903003116220657
光送信装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小笠原 史朗
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001020157
Publication number (International publication number):2002221698
Application date: Jan. 29, 2001
Publication date: Aug. 09, 2002
Summary:
【要約】【課題】 光源からの搬送光を、複数のアナログ信号が多重された1つのRF信号を分岐して得られる2つのRF信号で変調する外部光変調器を備えた光送信装置であって、たとえDCドリフトが発生しても、外部変調器から出力される光信号の平均パワーの変動や、光信号に含まれる歪量の増大を抑制することができ、しかも、出力光信号に含まれるRF信号のレベル変動をも防ぐことができるような光送信装置を実現する。【解決手段】 外部光変調器110が、第1および第2のバイアス電圧の印加を受け、搬送光を第1および第2のRF信号で変調する。その際、バイアス電圧制御回路150は、外部光変調器110から出力される光信号の平均パワーが基準パワーと一致するように第1バイアス電圧を制御し、かつ、光信号に含まれるRF信号のレベルが基準レベルと一致するように第2バイアス電圧を制御する。
Claim (excerpt):
搬送光を、複数のアナログ信号が多重された1つのRF信号を分岐して得られる第1および第2のRF信号で外部変調して送信する光送信装置であって、搬送光を出力する光源、前記光源から出力される搬送光を前記第1および第2のRF信号で変調する外部光変調器、前記外部光変調器に第1および第2のバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加器、および前記バイアス電圧印加器が前記外部光変調器に印加する第1バイアス電圧を、当該外部光変調器から出力される光信号の平均パワーに基づいて制御し、かつ、第2のバイアス電圧を、当該光信号に含まれるRF信号のレベルに基づいて制御するバイアス電圧制御手段を備える、光送信装置。
IPC (8):
G02F 1/03 502
, G02F 1/035
, H04B 10/02
, H04B 10/18
, H04B 10/152
, H04B 10/142
, H04B 10/04
, H04B 10/06
FI (4):
G02F 1/03 502
, G02F 1/035
, H04B 9/00 M
, H04B 9/00 L
F-Term (16):
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079EA05
, 2H079FA01
, 2H079FA04
, 2H079HA11
, 2H079HA23
, 5K002AA01
, 5K002CA01
, 5K002CA02
, 5K002CA08
, 5K002CA14
, 5K002DA21
, 5K002FA01
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