半導体センシングデバイス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003084200
Publication number (International publication number)：2004004007
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【解決手段】シリコン上にシリコン酸化物又は無機酸化物を形成し、その上に有機シラン単分子膜を直接的な検出部として形成してなる、有機単分子膜/酸化膜/半導体構造、又はシリコン基板又はダイヤモンド基板上に有機単分子膜を直接的な検出部として形成してなる、有機単分子膜/半導体構造を有する半導体センシングデバイス。【効果】オンチップでの超高感度、マイクロマルチ-イオン・バイオセンシングデバイス構築のための非常に効果的な半導体デバイスであり、これを用いた集積化デバイスは今後の一分子認識を可能とするセンシング特性を有するものであり、上記有機単分子膜を利用した半導体デバイスをオンチップpH、イオン、酵素、DNA、イムノセンサの一部もしくは全部に用いた半導体イオンセンシング、バイオセンシングデバイスは、超高感度なオンチップ集積化マイクロセンシングを可能とする。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

シリコン上にシリコン酸化物又は無機酸化物を形成し、その上に有機シラン単分子膜を直接的な検出部として形成してなる、有機単分子膜/酸化膜/半導体構造を有することを特徴とする半導体センシングデバイス。

IPC (2)：

G01N27/414 , H01L29/78

FI (5)：

G01N27/30 301V , H01L29/78 301U , G01N27/30 301W , G01N27/30 301K , G01N27/30 301R

F-Term (8)：

5F140AA00 , 5F140AA39 , 5F140AC37 , 5F140BA01 , 5F140BA04 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ダイヤモンド薄膜バイオセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-042211 Applicant：株式会社神戸製鋼所
半導体用封止樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-052375 Applicant：松下電子工業株式会社
撥水性紫外線赤外線吸収ガラス及びその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-092230 Applicant：セントラル硝子株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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