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J-GLOBAL ID：200903003118296758

窒素-3属元素化合物半導体発光素子

Inventor： 真部 勝英 ,  小滝 正宏 ,  加藤 久喜 ,  佐々 道成 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992316598
Publication number (International publication number)：1994151963
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】発光色をより青色に近づけること。【構成】n型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn層と、p型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるp層とを有する窒素-3属元素化合物半導体発光素子において、n層とp層との間にZnを添加した窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる半絶縁性のi層を設けた。半絶縁層の厚さは、20〜3000Åである。Znをドープの半絶縁性のi層により485 〜490nm の発光が得られ、全体として450 〜480nm の発光が得られた。

Claim (excerpt)：

n型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn層と、p型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) からなるp層とを有する窒素-3属元素化合物半導体発光素子において、前記n層と前記p層との間にZnを添加した窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる半絶縁性のi層を設けたことを特徴とする発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-228776
  
• 特開平4-010665