超微細加工法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：湯浅恭三 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995043214
Publication number (International publication number)：1996241884
Application date： Mar. 02, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】電気的に中性のエネルギー粒子線である高速原子線を用いて超微細加工を施し、次世代のVLSIや超微細構造素子或いは最子効果素子などを製造する。【構成】超微細なフォトレジスト膜を施した被加工物に高速原子線を照射することにより、または被加工物を回転および又は並進移動させながら、超微細なビーム径の高速原子線を被加工物照射することにより、ほぼ0.1ないし10nmの範囲又はほぼ10ないし100nmの範囲の精度で超微細加工を施す。高速原子線は、イオンビームや電子線のようにチャージアップや電界或いは磁界の影響を受けないため、ビーム自体の直進性がきわめて優れており、超微細スケールの穴や溝に容易に真っすぐに入射させることができ、また半導体材料や絶縁物材料に対して電気的悪影響を及ぼすことなく高精度の微細加工が可能である。

Claim (excerpt)：

超微細なフォトレジスト膜を施した被加工物に高速原子線を照射することにより、または被加工物を回転および又は並進移動させながら、超微細なビーム径の高速原子線を被加工物照射することにより、ほぼ0.1ないし10nmの範囲又はほぼ10ないし100nmの範囲の精度で超微細加工を施すことを特徴とする超微細加工法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C23F 4/02 , H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/302 D , C23F 4/02 , H01L 21/30 569 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭63-012138
微細パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-025936 Applicant：日本電気株式会社

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