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J-GLOBAL ID：200903003133950898

ばね構造導電性高分子アクチュエータ及びその製造方法

Inventor： 西岡 泰城 ,  勝又 啓行
Applicant, Patent owner： 学校法人日本大学
Agent (1)： 生井 和平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007165325
Publication number (International publication number)：2009005525
Application date： Jun. 22, 2007
Publication date： Jan. 08, 2009
Summary：

【課題】高弾性力を有し応答性も良く、量産し易いばね構造導電性高分子アクチュエータを提供する。【解決手段】ばね構造導電性高分子アクチュエータは、弾性材料からなり、ばね状にパターンニング形成するばね基材2を用いる。そして、ばね基材2よりも高い導電性を有する導体層5がばね基材上に形成される。さらに、導体層5を電極として用いる電解重合によりばね基材2上に導電性高分子層6が形成される。導電性高分子層6は、ばね基材2や導体層5を覆うように設けられる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ばね構造導電性高分子アクチュエータであって、該アクチュエータは、 弾性材料からなり、ばね状にパターンニング形成するばね基材と、 前記ばね基材よりも高い導電性を有し、前記ばね基材上に形成される導体層と、 前記導体層を電極として用いる電解重合により前記ばね基材上に形成される導電性高分子層と、 を具備することを特徴とするばね構造導電性高分子アクチュエータ。

IPC (2)：

H02N 2/00 ,  B32B 15/08

FI (2)：

H02N2/00 B ,  B32B15/08 E

F-Term (23)：

4F100AB11A ,  4F100AB25 ,  4F100AG00D ,  4F100AK01C ,  4F100AR00A ,  4F100AR00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA10D ,  4F100DC21A ,  4F100DC21B ,  4F100DC21C ,  4F100EH902 ,  4F100EJ151 ,  4F100GB51 ,  4F100JG01B ,  4F100JG01C ,  4F100JK06 ,  4F100JK07A ,  4F100JL02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 導電性高分子複合構造体、積層体及び導電性高分子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-376062   Applicant：イーメックス株式会社

Cited by examiner (2)

• 導電性高分子複合構造体及び導電性高分子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-385206   Applicant：イーメックス株式会社, 日本ケーブル・システム株式会社
• 2軸アクチュエータ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-303929   Applicant：三星電子株式会社