半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：伊丹勝 , 田村和彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006012648
Publication number (International publication number)：2007193910
Application date： Jan. 20, 2006
Publication date： Aug. 02, 2007
Summary：

【課題】高速演算可能なエラー検出訂正回路を搭載した半導体記憶装置を提供する。【解決手段】エラー検出訂正回路が搭載された半導体記憶装置において、前記エラー検出訂正回路は、複数ビットのエラー訂正が可能な巡回符号を用いたものであって、エラー訂正可能な最大ビット数対応の次数を持つ情報多項式の中から、情報ビットとして利用する次数が、シンドローム多項式の計算規模が可及的に小さくなるように選択されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

エラー検出訂正回路が搭載された半導体記憶装置において、前記エラー検出訂正回路は、複数ビットのエラー訂正が可能な巡回符号を用いたものであって、エラー訂正可能な最大ビット数対応の次数を持つ情報多項式の中から、情報ビットとして利用する次数が、シンドローム多項式の計算規模が可及的に小さくなるように選択されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

G11C 29/42 , G11C 16/06 , G11C 16/02 , G06F 12/16

FI (4)：

G11C29/00 631D , G11C17/00 639C , G11C17/00 641 , G06F12/16 320G

F-Term (13)：

5B018GA02 , 5B018HA14 , 5B018NA06 , 5B018QA14 , 5B018RA02 , 5B125BA01 , 5B125BA19 , 5B125CA01 , 5B125DE08 , 5B125EA05 , 5B125FA06 , 5L106AA10 , 5L106BB12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

エラー訂正可能なフラッシュメモリシステム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-351435 Applicant：株式会社東芝
不揮発性メモリシステムにおけるデータの完全性を管理する方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-368139 Applicant：サンディスクコーポレイション

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