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J-GLOBAL ID：200903003181681084
イオンビームスパツタ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991101782
Publication number (International publication number)：1993148645
Application date： Apr. 08, 1991
Publication date： Jun. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】 不純物粒子の混入がほとんどない薄膜素材を作製できるイオンビームスパッタ装置を提供する。【構成】 ターゲット1をスパッタすることにより基板2上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、ターゲット1と基板2との間に基板の垂線と平行な方向にスリット間隙をもつスリットを配置する。【効果】 ターゲット1のスパッタ粒子は基板2と垂直な経路5のように進むので基板2に到達できる。一方、基板2の周辺部がスパッタされた粒子(不純物粒子)は、基板2に対して傾斜した経路4を通るので、スリット3の部分でトラップされ、基板2には到達しない。
Claim (excerpt)：
イオンビームを照射される膜材料のターゲットと、膜付けされる基板とを対向させて前記基板上に真空条件下で膜形成を行うイオンビームスパッタ装置において、前記ターゲットと前記基板との間にスリット部材を備えたことを特徴とするイオンビームスパッタ装置。
Patent cited by the Patent：
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