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J-GLOBAL ID：200903003187291784
低速陽電子ビーム発生装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995060479
Publication number (International publication number)：1996262194
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：
【要約】【目的】 減速材基板の破損を防止するとともに、減速材基板への応力歪の発生及びリードの電極以外の部分への接触を防止して、低速陽電子の発生効率の低下を防止する。【構成】 Si基板3の両面に形成された表面電極4a、4bの陽電子の入射や放出を妨げない位置に、リード6を導電性の接着剤8で接着することにより、リード6をSi基板3の他の部分には接触しないように取り付ける。次に、このフィールド・アシスト型減速材2を絶縁性基板ホルダー5に接着剤9で接着する。この減速材基板を冷却装置によって冷却した場合、冷却によってSi基板3と絶縁性基板ホルダー5との部材間の熱膨張率の相違によって歪が発生しても、この歪が接着剤9によって吸収されるので、減速材基板の割れ及び歪による低速陽電子の発生効率の低下を防止することができる。
Claim (excerpt)：
陽電子源、減速材及び絶縁性基板ホルダーを有する低速陽電子ビーム発生装置において、減速材基板を上記絶縁性基板ホルダーに接着剤によって固定したことを特徴とする低速陽電子ビーム発生装置。
IPC (2)：
FI (2)：
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