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J-GLOBAL ID：200903003209475426

層状超伝導単結晶で構成した電子デバイス

Inventor： 山下 努 ,  立木 昌 ,  千葉 幸正
Applicant, Patent owner： 株式会社オプテックス
Agent (1)： 古谷 史旺 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995055544
Publication number (International publication number)：1996250776
Application date： Mar. 15, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は酸化物を利用した高温超伝導単結晶による電子デバイスに関し、超伝導単結晶のうち層状の物を使用し、THz帯電磁波に対し損失が少なく動作できる電子デバイスを提供することを目的とする。【構成】 層状超伝導単結晶1の第1層平坦部に接して設けた信号入力手段2と、層状超伝導単結晶の各層積層部分の一方端に接して設けた電磁波出力手段3と、で構成している。

Claim (excerpt)：

層状超伝導単結晶の第1層平坦部に接して設けた信号入力手段と、層状超伝導単結晶の各層積層部分の一方端に接して設けた電磁波出力手段と、で構成したことを特徴とする層状超伝導単結晶で構成した電子デバイス。

IPC (4)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/22 ,  G01R 1/28 ,  G01R 33/035 ZAA

FI (4)：

H01L 39/22 ZAA A ,  H01L 39/22 ZAA G ,  G01R 1/28 ,  G01R 33/035 ZAA