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J-GLOBAL ID：200903003213291984
電界制御型半導体素子の駆動方法及び回路
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997273963
Publication number (International publication number)：1999097995
Application date： Sep. 19, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：
【要約】【目的】大容量で大型のIGBT,FETなどの電界制御型半導体素子を、素子ケース内部のゲートインダクタンスをも保障して高速充電又は放電して、高速駆動することのできる駆動回路を提供すること。【構成】ゲート静電容量Cg、ゲート最大定格電圧Vm、その電圧よりも低いスレッシュホールド電圧V2及び内部ゲートインダクタンスを有する電界制御型半導体素子を高速で駆動する駆動方法において、前記ゲート静電容量Cgよりも容量の小さい別の静電容量Ca(Cg>Ca)を前記ゲート最大定格電圧Vmよりも高い電圧V1まで充電し、前記電界制御型半導体素子のターンオン駆動時に前記静電容量Caの充電電荷を放電させて、前記電圧V1を前記電界制御型半導体素子のゲート端子に印加し、前記ゲート静電容量Cgをスレッシュホールド電圧V2まで高速で充電、あるいは放電することにより、高速でターンオン又はターンオフさせることを特徴とする電界制御型半導体素子の駆動方法及び駆動回路。
Claim 1：
ゲート静電容量Cg、ゲート最大定格電圧Vm、その電圧よりも低いゲート動作電圧V2及び内部ゲートインダクタンスを有する電界制御型半導体素子を高速でターンオンさせる駆動方法において、前記ゲート静電容量Cgよりも容量の小さい別の静電容量Ca(Cg>Ca)を前記ゲート最大定格電圧Vmよりも高い電圧まで充電し、前記電界制御型半導体素子のターンオン駆動時に前記静電容量Caの充電電荷を放電させて、前記ゲート最大定格電圧Vmよりも高い電圧V1を前記電界制御型半導体素子のゲート端子に印加し、前記ゲート静電容量Cgをゲート動作電圧V2まで高速で充電することにより、高速でターンオンさせることを特徴とする電界制御型半導体素子の駆動方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H03K 17/687 D
, H03K 17/04 E
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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