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J-GLOBAL ID：200903003219912298

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

Inventor： 佐々 道成 ,  真部 勝英 ,  馬淵 彰 ,  加藤 久喜 ,  橋本 雅文 ,  赤崎 勇
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  名古屋大学長 ,  科学技術振興事業団
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001238119
Publication number (International publication number)：2002100807
Application date： Feb. 28, 1990
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【目的】電子濃度を制御したN型のGaN 系の化合物半導体を得ることで、発光素子の発光効率を改善する。【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2が形成され、その上に順に、膜厚約2.2 μm, シリコンドープされた電子濃度1.5 ×1018/cm3のGaNの高キャリア濃度N+ 層3、膜厚約1.5 μm, 電子濃度 1×1015/cm3以下のGaNの低キャリア濃度N層4、膜厚約0.2 μmのGaN から成るI層5が形成されている。I層5と高キャリア濃度N+ 層3には、それぞれに接続する、アルミニウムで形成された電極7と電極8とが形成されている。高キャリア濃度N+ 層3の抵抗率(=1/導電率)は、3 ×10-1Ωcmから 8×10-3Ωcmまで変化させることができる。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法によりバッファ層を形成し、そのバッファ層の形成されたサファイア基板を用いて、有機金属化合物気相成長法により、シリコンを含むガスを他の原料ガスと同時に流し、前記シリコンを含むガスと前記他の原料ガスとの混合比率を制御することにより、シリコン濃度の増加に対して導電率(1/抵抗率)が単調増加する範囲内において、導電率の制御されたn型窒化ガリウム半導体から成る高キャリア濃度層を形成する工程と、n型窒化ガリウム半導体から成る低キャリア濃度層を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

F-Term (29)：

5F041AA03 ,  5F041CA02 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD13 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045CA11 ,  5F045CB10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045DA60 ,  5F045DA62 ,  5F045EB13 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-252175
  
• 特開昭63-188938
  
• 特開昭60-173829
  
• 特開昭60-175468
  
• 特開昭59-228776