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J-GLOBAL ID:200903003224697192

気相中水素分離方法および気相中水素分離装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大川 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008113197
Publication number (International publication number):2009263708
Application date: Apr. 23, 2008
Publication date: Nov. 12, 2009
Summary:
【課題】水素ポンプのポンプ性能を向上させることができる気相中水素分離方法および気相中水素分離装置を提供する。【解決手段】本方法は、プロトン導電性セラミックスを基材とする電解質基板10と、電解質基板10のアノード電極11側に設けられたアノード室13と、電解質基板10のカソード電極12側に設けられたカソード室14とをもつ水素ポンプ1装置を用意する工程を実行する。水素を含む対象ガスを水素ポンプ1のアノード室13に導入する。これにより対象ガス中の水素を含むガスを電解質基板10のアノード電極11において分解させる。水素のイオンを電解質基板10の内部を透過させる。カソード電極12上で生成された水素(水素同位体を含み得る)のガスを排出させる排出操作を実行する。排出操作を実行するとき、カソード電極12上で生成された水素のガスを吸引手段7で吸引してカソード電極12からの分離性を促進させる吸引運転を実施する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
プロトン導電性セラミックスを基材とすると共に一方の片面に設けられたアノード電極と他方の片面に設けられたカソード電極とを有する電解質基板と、前記電解質基板のアノード電極側に設けられ前記アノード電極に対面するアノード室と、前記電解質基板のカソード電極側に設けられ前記カソード電極に対面するカソード室とをもつ水素ポンプを用意する工程と、 水素を含む対象ガスを前記水素ポンプの前記アノード室に導入することにより、前記対象ガス中の水素を前記電解質基板の前記アノード電極において分解させ、水素のイオンを前記電解質基板の内部を透過させ、前記カソード電極上で生成された水素のガスを排出させる排出操作を実行し、 前記排出操作を実行するとき、前記カソード電極上で生成された水素のガスを前記吸引手段で吸引して前記カソード電極からの分離性を促進させる吸引運転を実施することを特徴とする気相中水素分離方法。
IPC (3):
C25B 1/04 ,  B01D 53/22 ,  B01D 71/02
FI (3):
C25B1/04 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02 500
F-Term (21):
4D006GA41 ,  4D006JA42A ,  4D006KA12 ,  4D006KB30 ,  4D006KE08R ,  4D006MA03 ,  4D006MA31 ,  4D006MC03 ,  4D006PA02 ,  4D006PB65 ,  4D006PB66 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BB04 ,  4K021BC01 ,  4K021BC05 ,  4K021CA09 ,  4K021DB18 ,  4K021DB31 ,  4K021DB53 ,  4K021DC03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 特許第3994125
Cited by examiner (3)

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