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J-GLOBAL ID：200903003227446786

SMD型LED

Inventor： 下澤 新
Applicant, Patent owner： 株式会社シチズン電子
Agent (1)： 高宗 寛暁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997118654
Publication number (International publication number)：1998303464
Application date： Apr. 23, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 輝度を上げるために大電流を流すと発熱により輝度がダウンする。【解決手段】 絶縁基板1の上面端部に対向する一対の上面電極2を設け、一対の上面電極2は、それぞれその裏面に下面電極3と、その側面に、上面電極2及び下面電極3と連なる側面電極4を形成して、一方の上面電極2a上のダイボンドエリア9周辺を含む領域に導電性部材よりなる放熱板10を導電性接着剤11等の固着手段で固着し、放熱板10の上に前記LED素子5を実装し、他方の上面電極2bにはボンディングワイヤ6を接続し、封止樹脂7にて樹脂封止する。大電流(略300mA以上)を流しても放熱するためLEDの発熱を防ぎ、高輝度発光が実現できる。高輝度LEDが安価になり、従来使用されていない高輝度ターゲット製品に搭載可能である。

Claim (excerpt)：

絶縁基板の上面端部に対向する一対の上面電極を設け、該一対の上面電極は、それぞれその裏面に下面電極と、その側面に、前記上面電極及び前記下面電極と連なる側面電極を形成して、前記一方の上面電極にLED素子の一方の電極を、他方の上面電極にLED素子の他方の電極をそれぞれ接続し、樹脂封止してなるSMD型LEDにおいて、前記一対の上面電極の中、少なくともいづれかの上面電極上に導電性部材よりなる放熱板を固着したことを特徴とするSMD型LED。