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J-GLOBAL ID：200903003228692330

半導体装置とその製造方法

Inventor： 芳賀 豊
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 尾川 秀昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993253835
Publication number (International publication number)：1995086590
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ウェル2を有する半導体基板1の表面部に選択酸化膜3が形成され、各ウェル2の内部の表面部に、選択酸化膜により囲繞される、そのウェルと逆導電型の拡散層4を、有する半導体装置において、リーク電流、特に選択酸化膜3で囲繞された領域の角部におけるリーク電流を小さくする。【構成】 ウェル2の角部近傍に上記拡散層4の外側に該拡散層4と同じ導電型でそれより不純物濃度の低い拡散領域5aを設ける。

Claim (excerpt)：

ウェルを有する半導体基板の表面部に選択酸化膜が形成され、各ウェルの内部の表面部に、選択酸化膜により囲繞される、そのウェルと逆導電型の拡散層を、有する半導体装置において、少なくともウェルの角部近傍に上記拡散層の外側に該拡散層と同じ導電型でそれより不純物濃度の低い拡散領域を設けたことを特徴とする半導体装置

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/761 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 301 R ,  H01L 21/76 J ,  H01L 29/78 301 L