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J-GLOBAL ID：200903003229474558

ジスルフィド誘導体化合物及びそれからなる自己組織化膜

Inventor： 秋山 陽久 ,  玉田 薫 ,  長沢 順一 ,  中西房枝 ,  玉置 敬
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院物質工学工業技術研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999072906
Publication number (International publication number)：2000264874
Application date： Mar. 18, 1999
Publication date： Sep. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】新規なジスルフイド化合物、及びその化合物を用いて得られる自己組織化膜に関し、その機能を発現させる際に必要となる分子構造が変化できるための十分な空間が存在するような自己組織化膜の提供【解決手段】下記一般式【化1】(1)(式中、R1は、炭素数8〜1の、直鎖又は分岐鎖を有するアルキル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子を表す。nは、18≧n≧6の範囲の整数を表す。R2は、炭素数がn+6を越えない、24〜1の範囲の、直鎖又は分岐鎖を有するアルキル基を表す。)で表されることを特徴とするジスルフイド誘導体化合物及びこのジスルフイド誘導体化合物の集合体からなることを特徴とする自己組織化膜。

Claim (excerpt)：

一般式【化1】(1)(式中、R1は、炭素数8〜1の、直鎖又は分岐鎖を有するアルキル基、シアノ基、ニトロ基、水素原子又はハロゲン原子を表す。nは18≧n≧6の範囲の整数を表す。R2は、炭素数がn+6を越えない、24〜1の範囲の、直鎖又は分岐鎖を有するアルキル基を表す。)で表されることを特徴とするジスルフィド誘導体化合物。

IPC (4)：

C07C323/12 ,  G01N 27/333 ,  G01N 27/327 ,  G01N 33/543 595

FI (4)：

C07C323/12 ,  G01N 33/543 595 ,  G01N 27/30 331 E ,  G01N 27/30 351

F-Term (3)：

4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB99