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J-GLOBAL ID：200903003239492937

磁気抵抗素子

Inventor： 斎藤 修 ,  麓 孝文 ,  大久保 恵司 ,  岡村 祐子 ,  安宅 豊路
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994010163
Publication number (International publication number)：1995221363
Application date： Feb. 01, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】高い磁気抵抗変化率を付与する。【構成】磁気抵抗効果の発生原因となる電子のスピン依存散乱は、基本的に磁気抵抗素子の積層体を形成する強磁性薄膜と非磁性薄膜の各主面に対して、垂直な方向の電流の電子散乱効果であるから、電流方向を、素子積層体の主面に対して垂直な方向とすることにより、従来素子のように膜面内に電流が流れる場合に比べて、大きな磁気抵抗変化率を得ることができる。

Claim (excerpt)：

強磁性薄膜と非磁性薄膜が交互に2回以上積層されてなる磁気抵抗素子であって、電流方向を前記各膜の主面に対して垂直方向として用いることを特徴とする磁気抵抗素子。