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J-GLOBAL ID：200903003253182860
酸化物あるいは複合酸化物の薄膜の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993077222
Publication number (International publication number)：1994287757
Application date： Apr. 02, 1993
Publication date： Oct. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】 チタニウムあるいジルコニウムのアルコキシド化合物を原料ガスとして用いるCVDにおいて、当該アルコキシド化合物と酸素ガスを混合して電子サイクロトン共鳴プラズマ化した酸化性反応ガスと反応させることによって、低温で高品質な薄膜を製造する方法を提供する。【構成】 化学的気相堆積法による薄膜形成方法であって、少なくとも原料ガスとしてのチタニウムあるいはジルコニウムの揮発性アルコキシド化合物あるいは両揮発性化合物の混合物を含むキャリアガスおよび酸素ガスを混合して基板上に供給し、アルゴン等の不活性ガスあるいは酸素ガス、亜酸化窒素ガス等の酸化性ガスの混合ガスを電子サイクロトロン共鳴プラズマ化して当該原料アルコキシド化合物を含むキャリアガスおよび酸素ガスの混合ガスと合流反応せしめる手段を有することを特徴とするチタニウム、ジルコニウム、あるいは両者を含む酸化物あるいは複合酸化物の薄膜の製造方法。
Claim (excerpt)：
化学的気相堆積法による薄膜形成方法であって、少なくとも原料ガスとしてのチタニウムあるいはジルコニウムの揮発性アルコキシド化合物あるいは両揮発性化合物の混合物を含むキャリアガスおよび酸素ガスを混合して基板上に供給し、アルゴン等の不活性ガスあるいは酸素ガス、亜酸化窒素ガス等の酸化性ガスの混合ガスを電子サイクロトロン共鳴プラズマ化して当該原料アルコキシド化合物を含むキャリアガスおよび酸素ガスの混合ガスと合流反応せしめる手段を有することを特徴とするチタニウム、ジルコニウム、あるいは両者を含む酸化物あるいは複合酸化物の薄膜の製造方法。
IPC (5)：
C23C 16/40
, H01L 21/205
, H01L 21/314
, H01L 27/04
, H01L 27/108
