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J-GLOBAL ID:200903003254127170

ハイブリッドIC用基板の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995000146
Publication number (International publication number):1996186371
Application date: Jan. 05, 1995
Publication date: Jul. 16, 1996
Summary:
【要約】【目的】 特殊な印刷機を使用することなく、基板両面の導体間の導通路を適確に形成できるハイブリッドIC用基板の製造方法を提供する。【構成】 セラミック基板1に導通用穴2をあけ、一面に穴2の一部を残すように導電ペースト3Aを印刷し、焼成を行って導体を形成する。次に、他の面に導電ペースト3Bを印刷し、焼成を行って導体を形成する。他面の導電ペースト印刷時に、先の印刷時に残した穴2の一部が空気の逃げ道となるため、空気溜まりがなくなり、基板両面の導体間の導通が確保される。
Claim (excerpt):
セラミック基板に導通用穴を設け、基板の両面に導電ペーストを印刷して、両面の導体間に導通路を形成するハイブリッドIC用基板の製造方法において、少なくとも先に印刷する面には穴の一部を残して導電ペーストを印刷し、この後、他の面に導電ペーストを印刷して両面の導体間に導通路を形成することを特徴とするハイブリッドIC用基板の製造方法。

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