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J-GLOBAL ID：200903003259592644

半導体装置

Inventor： 浜野 寿夫 ,  久保田 義浩 ,  早川 美智雄 ,  池元 義彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993056252
Publication number (International publication number)：1994268091
Application date： Mar. 17, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置に関し,電源/グランドプレインの接続方法を改善して低インダクタンス化を図ることを目的とする。【構成】 1)導電体プレイン 3がキャビティ内に形成されたパッケージ 1と,該パッケージに搭載され且つ電源端子またはグランド端子が該導電体プレインに接続された半導体チップ 6と,該パッケージの電源端子またはグランド端子となる外部リード 4と該導電性プレインとの間に導電性粒子を含んだガラスからなる接続部導体 5を有する, 2)前記接続部導体 5が存在する部位における前記導電体プレイン 3と前記外部リード 4との間隔がその他の部位より近接している, 3)前記導電体プレイン 3と前記外部リード 4の少なくとも接続部にアルミニウム層が被着されている, 4)前記外部リード 4の少なくとも接続部に粗面加工が施されているか,ディンプルもしくは細孔が設けられているように構成する。

Claim (excerpt)：

導電体プレイン(3)がキャビティ内に形成されたパッケージ(1) と,該パッケージに搭載され且つ電源端子またはグランド端子が該導電体プレインに接続された半導体チップ(6) と,該パッケージの電源端子またはグランド端子となる外部リード(4)と該導電性プレインとの間に導電性粒子を含んだガラスからなる接続部導体(5) を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/10 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/50

FI (2)：

H01L 23/12 G ,  H01L 23/12 E