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J-GLOBAL ID:200903003261868193
半導体装置およびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996134654
Publication number (International publication number):1997321181
Application date: May. 29, 1996
Publication date: Dec. 12, 1997
Summary:
【要約】【課題】 メモリーや汎用マイコンなどの小ピンの半導体素子をパッケージ化すると、組立工数の多さや組立ロス等によりコスト的にかなり割高になるとともに、小型化率が悪くなる。【解決手段】 弾性のある樹脂層16を介して半導体素子12上に直接、金属配線14とパッケージ電極11を設ける構造を取ることにより、セラミック等のインターポーザーを必要とせずに半導体装置の全体サイズをジャストチップサイズにできる。しかも個々の組立を行なわずウエハ単位で一括して加工を行なうため低コストでパッケージ化することが可能になる。
Claim (excerpt):
半導体素子の電極上にバリアメタルを有し、前記半導体素子の表面のパシベーション膜上に前記半導体素子の電極部に相当する位置に開口部を有する樹脂膜を有し、前記樹脂膜上に前記バリアメタルから配線される金属配線を有し、さらに前記金属配線上と前記樹脂膜上に前記金属配線の一部分に開口部を有する保護膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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チップサイズパッケージ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-221760
Applicant:沖電気工業株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-226250
Applicant:新光電気工業株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-259861
Applicant:新光電気工業株式会社
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バンプ電極の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-084270
Applicant:株式会社東芝, 岩手東芝エレクトロニクス株式会社
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半導体素子の表面保護膜およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-005651
Applicant:沖電気工業株式会社
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半導体素子の実装方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-328524
Applicant:松下電子工業株式会社
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