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J-GLOBAL ID:200903003265745231
BGA型半導体装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平田 忠雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001324684
Publication number (International publication number):2003133478
Application date: Oct. 23, 2001
Publication date: May. 09, 2003
Summary:
【要約】【課題】 はんだリフロー時に絶縁フィルムの絶縁層と接着用フィルムとの界面で剥離を生じなくし、実装信頼性の向上したBGA半導体装置を得る。【解決手段】 絶縁フィルム5に半導体素子8を接着する接着用フィルム40は厚さ50μmの多孔質のポリテトラフルオロエチレンを支持体7とし、その両面に厚さ20から30μmのエポキシ系の接着剤6,6を配する三層構造とした。そのため、接着用フィルム40に応力緩衝機構を持たすことができるとともに、支持体7は多孔質であるので、はんだリフロー時接着層に含まれる揮発成分を解放することができ、熱膨張等によって絶縁フィルム5と接着用フィルムとの界面に剥離を生じることを防止することができる。
Claim (excerpt):
半導体素子に接着用フィルムを介して接着する絶縁フィルムと、接着用フィルムと接していない絶縁フィルムの面上に位置し、ランド部およびボンディング部とを有する配線と、ボンディング部と半導体素子のパッドとをモールドする封止樹脂と、ランド部に搭載されるはんだボールとからなり、接着用フィルムと絶縁フィルムとは各々その中央部に打ち抜き孔を有し、かつ、その打ち抜き孔は互いに重なるように位置し、ボンディング部は打ち抜きの周囲に位置するBGA型半導体装置において、前記ボンディング部と前記半導体素子のパッドとは、ボンディングワイヤーにより電気的に接続されていることを特徴とするBGA型半導体装置。
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