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J-GLOBAL ID：200903003267923927

低速陽電子発生装置

Inventor： 田中 博文
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992195205
Publication number (International publication number)：1994044934
Application date： Jul. 22, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ビームパワーを上げることを可能にし、高強度の陽電子ビームを得ることができる低速陽電子発生装置を得ることを目的とする。【構成】 この発明においては、内部に冷却通路10aが形成されたターゲット10と、このターゲット10の中心部に一端が接続され他端がモータ12に接続された軸11とを備え、軸11の内部には冷却通路10aと液体連通した流路11a,11bが形成されたものである。

Claim (excerpt)：

ターゲットに電子ビームを衝突させ、陽電子を発生させる低速陽電子発生装置において、前記ターゲットの中心部にモータと直結されてターゲットを回転させるための軸を接続したことを特徴とする低速陽電子発生装置。

IPC (5)：

H01J 37/06 ,  G21K 1/00 ,  G21K 5/04 ,  G21K 5/08 ,  H05H 6/00