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J-GLOBAL ID：200903003274931242

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 大久保 利男 ,  塚越 伸夫 ,  安藤 明夫 ,  清塚 巧一 ,  林 昭二 ,  田中 隆一 ,  飯島 哲郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993059628
Publication number (International publication number)：1994252091
Application date： Feb. 24, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ペレットのシリコン基板とその裏面に形成された金属電極との間の接着性および電気的接続を良好にする。【構成】 シリコン基板20の裏面に形成された金属電極32が複数の金属層から構成され、これらの金属層がシリコン基板20側から、ニッケルシリサイド層33、チタン層34、ニッケル層35、銀層36から構成されている。ニッケルシリサイド層33の形成は、シリコン基板20にニッケル、チタン、ニッケル、および銀が順次被着形成した後、350°C〜450°Cで加熱処理されてシリコンとニッケルが相互拡散されて形成される。【効果】 シリコン基板と金属電極との間にニッケルシリサイド層が介設されているため、その間の良好な接着性を確保しつつ、電気抵抗を小さくできる。350°C〜450°Cが熱処理するため、ペレットに形成済みの電子回路を損なわず、しかも、良好に半田処理できる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板に電子回路が作り込まれて形成されているペレットの基板裏面に金属層からなる電極が形成されており、この電極が金属からなる固定部材に半田付けされている半導体装置において、前記ペレットにおけるシリコン基板と金属層からなる電極との接続部分にニッケルシリサイド層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/48