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J-GLOBAL ID：200903003280660323

半導体レーザとその製造方法

Inventor： 深谷 一夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991342135
Publication number (International publication number)：1993152680
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高出力動作時の基本水平横モード発振の安定な半導体レーザを形成する。【構成】 (100)n型GaAs基板上に、GaAs/AlGaAs系量子井戸活性層を含むダブルヘテロ構造を成長させ、p型クラッド層がメサストライプ状に除去された部分を選択的にn型GaInP電流ブロック層及びn型GaAs層で順次埋め込み成長することにより、導波領域であるメサストライプの両側部近傍に実効的屈折率がメサストライプ直下の多層構造のそれよりも低くかつ活性層以外の層での発振光の吸収がない多層構造が、そのさらに外側に発振光の吸収が大きい多層構造が形成されることにより、高出力動作時の基本水平横モード発振が安定なGaAs/AlGaAs系の高出力半導体レーザを得ることができる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上にAl組成0.4以下の第1導電型クラッド層、光ガイド層に挟まれて成る単一または多重量子井戸活性層、Al組成0.4以下の第2導電型クラッド層が順次に形成されてなるダブルヘテロ構造を内包する多層積層構造をもつGaAs/AlGaAs系量子井戸半導体レーザにおいて、前記第2導電型クラッド層がメサストライプの形状を残して前記活性層まで達しない深さに選択的に除去されており、前記除去された部分が第1導電型Ga0.5In0.5P電流ブロック層及び第1導電型GaAs層で順次に埋め込まれてなる半導体レーザ。