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J-GLOBAL ID：200903003284408386
真空排気機構
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994239499
Publication number (International publication number)：1996078300
Application date： Sep. 06, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 真空排気系配管より効果的に反応生成物を除去する。【構成】 半導体加工装置10にはターボ式真空ポンプ12およびロータリ式真空ポンプ16を備えた真空排気配管系が接続される。この配管系は特定の配管部分20を残してヒータ18,19により加熱されている排気系配管14,15からなる。特定の配管部分20は加熱されていないので、反応生成物24はこの特定の配管部分20に集中的に付着または吸着される。
Claim (excerpt)：
半導体加工装置の真空排気系配管に特定の配管部分を残してその前後の配管を加熱するようにした真空排気機構。
IPC (3)：
H01L 21/02
, F04C 25/02
, F04D 19/04
