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J-GLOBAL ID：200903003292633968

気相成長装置

Inventor： 河合 弘治 ,  和田 伸一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993129804
Publication number (International publication number)：1994338466
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 安定して、優れた膜質の気相成長を行うことができるようにする。【構成】 気相成長反応容器2内の、被気相成長基体1の配置部との対向部の壁面に原料を含まないガスを流す構成とする。

Claim (excerpt)：

気相成長反応容器内の、被気相成長基体の配置部との対向部の壁面に原料を含まないガスを流すことを特徴とする気相成長装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-028868
  
• 特開昭61-166123
  
• 特開平4-335521