情報記録用薄膜および情報記録媒体

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994135367
Publication number (International publication number)：1995223372
Application date： Jun. 17, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】良好な記録・再生特性を保持しながら従来より多数回の書き換えまたは超解像読みだしを可能にする。【構成】 Sb-Te-Ge系やSb-Te-In系の相変化型の記録膜3または超解像読み出し用薄膜に、Cr、およびAg,Ba,Co,Ni,Pt,Si,Sr,Au,Cd,Cu,Li,Mo,Mn,Zn,Al,Fe,Pb,Na,Cs,Ga,Pd,Bi,Sn,Ti,V,Inおよびランタノイド元素から選ばれた少なくとも一つの元素XまたはBを添加する。記録膜3中または超解像読み出し用薄膜中に相変化成分3aよりも高融点の成分3bが析出し、記録・消去,超解像読みだし時の膜の流動・偏析を防止する。

Claim (excerpt)：

基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式SbxTeyApBqCr (1)で表わされ、前記AはGeおよびInからなる第1群から選ばれた少なくとも一つの元素、前記Bはランタノイド元素およびAg,Ba,Co,Cr,Ni,Pt,Si,Sr,Au,Cd,Cu,Li,Mo,Mn,Zn,Al,Fe,Pb,Na,Cs,Ga,Pd,Bi,Sn,TiおよびVからなる第2群から選ばれた少なくとも一つの元素、前記CはSb,Teおよび前記AおよびBで表わされる元素以外の少なくとも一つの元素を表わし、前記x,y,p,qおよびrの単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ2≦x≦41,25≦y≦75,0.1≦p≦60,3≦q≦40,0.1≦r≦30の範囲にあることを特徴とする情報記録用薄膜。

IPC (5)：

B41M 5/26 , G11B 7/24 511 , G11B 7/24 521 , G11B 7/24 541 , G11B 7/26 531

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-158383
特開平1-245440
特開平3-063178

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