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J-GLOBAL ID：200903003303344645

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 長谷川 昇雄 ,  今井 彰 ,  早野 勝也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000058359
Publication number (International publication number)：2001250756
Application date： Mar. 03, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 フォトマスクの欠陥の転写を抑制または防止する。【解決手段】 フォトマスク4のパターンをスキャナを用いて半導体ウエハ上に転写する際に、フォトマスク4の異なる領域に設けられた同一のパターン構成の転写領域7A,7Bを、半導体ウエハの同一領域に重ねて露光するようにした。

Claim (excerpt)：

フォトマスクに形成された転写領域をスキャン方式の露光処理によって半導体ウエハに露光することにより、半導体ウエハ上に所定の集積回路パターンを転写する工程を有し、前記スキャン方式の露光処理においては、前記半導体ウエハの同一領域に、前記フォトマスクにおける互いに設計上同一のパターンで構成される複数の異なる転写領域を重ねて露光することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/22

FI (4)：

G03F 1/08 D ,  G03F 7/22 H ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 518

F-Term (7)：

2H095BA02 ,  2H095BB02 ,  2H095BC01 ,  5F046AA12 ,  5F046BA05 ,  5F046CB05 ,  5F046CB17