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J-GLOBAL ID:200903003310812913

半導体集積回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊丹 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000371939
Publication number (International publication number):2002175696
Application date: Dec. 06, 2000
Publication date: Jun. 21, 2002
Summary:
【要約】【課題】 読み出し時の消費電力ピークを抑えた制御データ記憶回路を備えた半導体集積回路を提供する。【解決手段】 半導体チップに、制御データがプログラムされた不揮発性記憶素子とその読み出しデータを保持するラッチ回路とを有する制御データ記憶回路6と、その制御データの読み出し制御を行う読み出し制御回路7とを内蔵する。制御データ記憶回路6は、グループ1,2に分けられ、読み出し制御回路7は、内部電位検出回路41の出力をタイミング基準として、グループ1,2に対して順次異なるタイミングで読み出し制御信号を生成する。
Claim (excerpt):
制御データがプログラムされた不揮発性記憶素子とその読み出しデータを保持するラッチ回路とを有する、複数グループに分けられた制御データ記憶回路と、この制御データ記憶回路の各グループ毎に、前記不揮発性記憶素子のデータを異なるタイミングで対応するラッチ回路に読み出す読み出し制御回路とを有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (7):
G11C 29/00 603 ,  G11C 29/00 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 17/22 ,  H03K 19/0948
FI (6):
G11C 29/00 603 K ,  G11C 29/00 603 J ,  H03K 17/22 E ,  H01L 21/82 F ,  H01L 27/04 U ,  H03K 19/094 B
F-Term (48):
5F038AV08 ,  5F038AV15 ,  5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038DF08 ,  5F038DF11 ,  5F038DT13 ,  5F038DT14 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB05 ,  5F064BB07 ,  5F064BB15 ,  5F064BB19 ,  5F064CC12 ,  5F064FF02 ,  5F064FF15 ,  5F064FF16 ,  5F064FF27 ,  5F064FF42 ,  5F064FF45 ,  5J055AX57 ,  5J055BX41 ,  5J055BX42 ,  5J055CX27 ,  5J055DX22 ,  5J055EX07 ,  5J055EY03 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ04 ,  5J055EZ08 ,  5J055FX05 ,  5J055FX32 ,  5J055GX01 ,  5J055GX04 ,  5J056AA00 ,  5J056BB17 ,  5J056CC02 ,  5J056DD12 ,  5J056DD60 ,  5J056FF08 ,  5J056GG07 ,  5J056KK01 ,  5L106CC04 ,  5L106CC05 ,  5L106CC12 ,  5L106CC13 ,  5L106FF08 ,  5L106GG03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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