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J-GLOBAL ID：200903003312015069

液晶ディスプレイ基板の製造方法、その装置、半導体結晶の評価方法、半導体結晶薄膜の製造方法及び半導体結晶薄膜の製造装置

Inventor： 今橋 一成 ,  浜 貴一 ,  畑 次郎
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993311138
Publication number (International publication number)：1996129189
Application date： Nov. 16, 1993
Publication date： May. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ガラス基板上に形成した非晶質半導体膜上に駆動回路部を生成するLCD基板の製造方法において、駆動回路部について良好な性能を確保すること。【構成】 ガラス基板1上に減圧CVDにより非晶質シリコン膜2を形成し、この非晶質シリコン膜2に島状にレーザ光のパルスを照射して当該照射領域を多結晶化する。この場合例えば各領域毎に、多結晶に必要な照射エネルギー以下のエネルギーで照射した後必要なエネルギーで照射し、また照射領域の反射光のバンドキャップ分光反射率と基準の分光反射率とを比較し、その近似度により、結晶化状態の進捗状況を把握しながらエネルギーを調節する。その後前記照射領域内に成膜処理、エッチングを繰り返して半導体素子よりなる駆動回路部を形成し、例えばこの工程において、予め形成したTFT5との配線を成膜処理により行う。

Claim (excerpt)：

基板上に、画素領域内に配置された複数のスイッチング素子と、このスイッチング素子を駆動する複数の駆動回路部とを備えた液晶ディスプレイ基板を製造する方法において、前記基板上に、非晶質半導体膜を成膜する工程と、前記非晶質半導体膜にレーザ光のパルスを断続的に照射して、この照射領域を多結晶化して非晶質半導体膜内に多結晶島状領域を形成する工程と、前記多結晶島状領域内に、この領域の多結晶を半導体領域とする駆動回路部を形成する工程と、非晶質半導体膜の一部を半導体領域とし、前記駆動回路部に電気的に接続したスイッチング素子を画素領域内に形成する工程と、を具備する液晶ディスプレイ基板の製造方法。

IPC (4)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-027320
  
• 特開平4-050818
  
• 特開平4-133029
  
• 特開平2-247543