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J-GLOBAL ID：200903003313273886

半導体発光素子、半導体発光素子アレー、光学検知装置、光学的情報処理装置および発光装置。

Inventor： 速水 一行
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244281
Publication number (International publication number)：1994069540
Application date： Aug. 19, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電流狭窄構造を有し、しかも、素子の同一方向にp側電極及びn側電極が設けられた半導体発光素子を提供する。【構成】 p型基板1上にp型下部クラッド層2、活性層3、n型上部クラッド層4、p型電流ブロック層5およびn型キャップ層6を積層する。このウエハ14の一部領域に上部クラッド層4に達する深さのn型電流通路領域(Si拡散域)9と、下部クラッド層2に達する深さのp型電流通路領域(Zn拡散域)10を形成し、両領域10,9を分離するようにウエハ全幅にわたってアイソレート用溝11を掘り込む。アイソレート用溝11を隔ててp型電流通路領域10側にp側電極8を設け、n型電流通路領域9側にn側電極7を設け、n型電流通路領域9と対向させて基板1に光取り出し窓12を開口する。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板の上面に形成された第1導電型の下部クラッド層と、該下部クラッド層の上面に形成された活性層と、該活性層の上面に形成された第2導電型の上部クラッド層と、該上部クラッド層の上方に形成された第1導電型の電流ブロック層とを有する素子母体に、第1導電型の不純物を導入することによって、上記電流ブロック層から少なくとも上記活性層へと形成される第1の電流通路領域、第2導電型の不純物を導入することによって、上記電流ブロック層から上記上部クラッド層へと形成される第2の電流通路領域、上記電流ブロック層の上方に形成され、上記第1の電流通路領域に導電される第1の電極、および、上記電流ブロック層の上方に形成され、上記第1の電流通路領域とは絶縁され、上記第2の電流通路領域に導電される第2の電極を形成したことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  G06K 7/10 ,  H01S 3/18 ,  H04B 10/04 ,  H04B 10/06