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J-GLOBAL ID：200903003321588454

プラズマエッチング装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 鎌田 剛 ,  有本 宏
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995059368
Publication number (International publication number)：1996255787
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 プラズマエッチング装置に関し、プラズマに曝される半導体基板の表面上の電位差を小さく抑え、チャージアップの低減化を図る。【構成】 プラズマを発生させる真空チャンバ11と、この真空チャンバ11内に設けられた対向電極12と、この電極12から離れた位置で半導体ウエハの載置台を兼用して設けられた基板バイアス電極13と、この電極13に接続された結合容量Cbと、この容量Cbを介して電極13に高周波電力を供給する高周波電源14とを備え、高周波電源14は、13.56 MHzの高周波信号をデューティ比50/50%を有する周波数範囲600KHz乃至800KHzのパルス信号により変調した高周波電力を発生する。

Claim (excerpt)：

プラズマを発生させる真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられた第1の電極と、前記第1の電極から離れた位置に配置されかつ半導体基板を載置する第2の電極と、前記第2の電極に接続された結合容量と、前記結合容量を介して前記第2の電極に高周波電力を供給する高周波電源とを備え、前記高周波電源は、基本駆動周波数の高周波信号の周波数を600kHz乃至800kHzの範囲の変調信号によりオン・オフ変調した高周波電力を発生することを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3213 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/88 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-312229
  
• エッチング方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-222415   Applicant：日新電機株式会社
• 特開昭64-073620