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J-GLOBAL ID：200903003330559378

TABテープ及びそれを用いた半導体装置

Inventor：
高橋 軍一

About 高橋 軍一

, 
山口 健司

About 山口 健司


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999305833
Publication number (International publication number)：2001127120
Application date： Oct. 27, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：
【要約】【課題】半導体装置を構成するTABテープの銅箔の粗化面を最大粗さにより規制して、60μm以下といった狭ピッチのリードパターンを確実に形成することを可能とし、半導体装置の温度サイクル等の長期信頼性を高めることを可能とする。【解決手段】接着剤3を貼り合わせした絶縁性ベースフィルム1に穴開けした後、銅箔2を貼り合せて配線パターン4を形成したTABテープ1を用い、その配線パターン4のリード4aを直接に又はボンディングワイヤ13を介して半導体チップ30とボンディングした半導体装置において、前記TABテープの銅箔2に、光沢表面最大粗さが2μm以下で粗化面の最大粗さが2.5μm以下である高温高伸び箔を用いる。
Claim (excerpt)：
接着剤を貼り合わせした絶縁性ベースフィルムに穴開けした後、銅箔を貼り合せて配線パターンを形成したTABテープにおいて、前記銅箔に、光沢表面最大粗さが2μm以下で粗化面の最大粗さが2.5μm以下である高温高伸び箔を用いたことを特徴とするTABテープ。
IPC (2)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (2)：
H01L 21/60 311 W ,  H01L 23/12 L
F-Term (7)：
5F044MM03 ,  5F044MM06 ,  5F044MM13 ,  5F044MM22 ,  5F044MM23 ,  5F044MM31 ,  5F044RR18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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