半導体装置およびメモリ装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤恭介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000380151
Publication number (International publication number)：2001203354
Application date： Oct. 30, 1992
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体集積回路等の半導体装置およびメモリ装置に関する。【解決手段】半導体装置は、ソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有する半導体と、前記半導体上のゲート部とから構成されている。前記ソース領域は、前記ゲート部と重なっており、前記ソース領域および前記ドレイン領域は、前記半導体の表面から前記半導体の厚さ以下の深さで広がっている。また、前記ドレイン領域は、前記ソース領域よりも浅く、0.1μm以下の深さであり、前記ドレイン領域の端部は、前記ゲート部の端部と一致している。さらに、前記チャネル形成領域は、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間にあって、前記ゲート部に隣接し、かつ長さが1μm以下である。

Claim (excerpt)：

ソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有する半導体と、前記半導体上のゲート部と、を有する半導体装置であって、前記ソース領域は前記ゲート部と重なっており、前記ソース領域および前記ドレイン領域は前記半導体の表面から前記半導体の厚さ以下の深さで広がっており、前記ドレイン領域は前記ソース領域よりも浅く、0.1μm以下の深さであり、前記ドレイン領域の端部は前記ゲート部の端部と一致しており、前記チャネル形成領域は前記ソース領域と前記ドレイン領域の間にあって前記ゲート部に隣接し、かつ長さが1μm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/78 , H01L 21/22 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

H01L 21/22 E , H01L 29/78 301 S , H01L 27/08 321 E , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開平2-128477
特開平4-253374
特開昭57-148374

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