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J-GLOBAL ID：200903003333640656

ドライエッチング装置およびドライエッチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996286012
Publication number (International publication number)：1998116821
Application date： Oct. 08, 1996
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 高選択比でSiO2 膜などを高精度で再現性良くエッチングし、高アスペクト比で微細なコンタクトホールを容易に形成する。【解決手段】 平行平板型の電極を有するドライエッチング装置において、対向電極4aの表面にAlNなどのセラミックス製のカバー4bを直接ろう付けし、アノード4とする。アノード4は、対向電極4aにガス冷媒チラー12からフロンなどのガス冷媒を供給することにより急速冷却することができ、カバー4bの内部に設けられたヒーターにより急速加熱することができるようにする。このドライエッチング装置を用いてSiO2 膜などをエッチングしてコンタクトホールを形成する場合には、エッチング時にアノード4を冷却してフルオロカーボンポリマーの前駆体を吸着させ、その後アノード4を加熱してフルオロカーボンポリマーの前駆体を放出させてからオーバーエッチングを行う。

Claim (excerpt)：

平行平板型の電極を有するドライエッチング装置において、少なくとも、対向電極の温度を急速に制御する急速温度制御手段を有することを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/90 C