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J-GLOBAL ID：200903003334984324

面発光半導体レーザ

Inventor： 小路 元
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993074077
Publication number (International publication number)：1994291406
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】光変調器を備えた面発光レーザに関し、共振器内に流れる電流の影響を受けないで精度良く吸収波長を制御すること。【構成】半導体基板と反対側のノンドープ分布反射ミラーの内部に、ワンニエ・シュタルク効果又は量子閉じ込めシュタルク効果により光吸収波長が変化する量子井戸構造を含む。

Claim (excerpt)：

第一導電型の半導体基板(21)の上に形成された異種半導体多層膜よりなる第一導電型の第1の分布反射ミラー(22)と、前記第1の分布反射ミラー(22)の上に形成された第一導電型のクラッド層(23)と、前記第一導電型のクラッド層(23)の上方に形成された単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造の活性層(25)と、前記活性層(25)の上方に形成された第二導電型のクラッド層(27)と、前記第二導電型のクラッド層(27)の上に形成された第二導電型のコンタクト層(28)と、前記コンタクト層(28)の上の一部に形成され、かつ、電界が印加されていない状態では吸収端波長がレーザ発振波長(λ0 )よりも長く、電界が印加されている状態では吸収端波長がレーザ発振波長(λ0 )よりも短くなる半導体超格子構造(29A)を備えた半導体多層膜よりなるノンドープの第2の分布反射ミラー(29)と、前記第2の分布反射ミラー(29)の上に形成された光変調信号印加用の第1の電極(31)と、前記第2の分布反射ミラー(29)の周囲の前記コンタクト層(28)の上に形成される第2の電極(32)と、前記半導体基板(21)に形成された第3の電極(33)とを有することを特徴とする面発光半導体レーザ。