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J-GLOBAL ID：200903003336463968

シリコン単結晶製造装置

Inventor： 鈴木 計弥 ,  松尾 博臣 ,  藤田 正人 ,  安吉 啓一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993266768
Publication number (International publication number)：1995126094
Application date： Oct. 26, 1993
Publication date： May. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 単結晶シリコン製造時における高速の引上げ速度を維持しつつ、同時にゲート酸化膜の耐圧強度を確保できるシリコン単結晶製造装置を提供する。【構成】 石英るつぼ5の中のシリコン融液4に種結晶14を浸し、これを引き上げてシリコン単結晶1を成長させる、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造装置であって、キャリアガスとして水素ガス10を使用するものである。この装置によれば、シリコン単結晶1の製造が水素ガス雰囲気中で行われるので、製造と同時にゲート酸化膜の耐圧強度を確保するためのアニール処理をすることができる。したがって、引上げ後においての新たなプロセスを追加することなく、形成されたデバイスのゲート酸化膜の耐圧強度を確保することができ、また、引上げ速度を低下させることがないので、生産効率も悪化しない。

Claim (excerpt)：

石英るつぼの中のシリコン融液に種結晶を浸し、前記種結晶と前記石英るつぼとを回転させながら前記種結晶を引き上げてシリコン単結晶を成長させるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造装置であって、前記シリコン単結晶の成長段階において用いられるキャリアガスとして水素ガスが使用されることを特徴とするシリコン単結晶製造装置。

IPC (4)：

C30B 15/00 ,  C30B 27/02 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208