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J-GLOBAL ID：200903003337917806

集積回路、その製造方法およびその薄膜形成装置

Inventor： 伊藤 弘基 ,  吉田 寿夫 ,  伊奈 照夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992004636
Publication number (International publication number)：1993195210
Application date： Jan. 14, 1992
Publication date： Aug. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 バリア層の電気的コンタクトおよびバリア性が向上した集積回路を得ることを目的とする。【構成】 シリコン基板62上にバリア層61を介して配線層60が形成された大規模集積回路において、バリア層61を、シリコン基板62から配線層60に向ってチタン層65、窒化二チタン層68および窒化チタン層67の順序で形成した。

Claim (excerpt)：

基板上にバリア層を介して配線層が形成された集積回路において、前記バリア層は、前記基板から前記配線層に向って組成Xが変化する窒化チタン(TiNx)薄膜層であることを特徴とする集積回路。

IPC (4)：

C23C 14/32 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/3205