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J-GLOBAL ID：200903003341479139

シリコンの熱処理方法

Inventor： 飯野 栄一 ,  布施川 泉 ,  廣畑 達明 ,  山岸 浩利
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991289181
Publication number (International publication number)：1993102167
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 特に高温プロセスにおいて、結晶成長方向の酸素析出分布を改善することができ、特に結晶底部の酸素析出量が低下せず、かつ所定の酸素析出量を結晶成長方向に均一に得ることができるようにしたシリコンの熱処理方法を提供する。【構成】 チョクラルスキー法で製造した単結晶シリコンを400〜550°Cの低温で熱処理し、加えて更に650〜750°Cで熱処理する

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法で製造した単結晶シリコンを400〜500°Cの低温で熱処理し、加えて更に650〜750°Cで熱処理することを特徴とするシリコンの熱処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-171826
  
• 特開昭58-140132
  
• 特開平2-263792
  
• 特開昭60-247935