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J-GLOBAL ID：200903003342410590

高い交換結合磁場を有する積層膜および素子

Inventor： 田ノ上 修二
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 穂上 照忠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998052090
Publication number (International publication number)：1999251141
Application date： Mar. 04, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】薄膜型のMR素子やスピンバルブ素子の強磁性体層の磁化制御に用いられる交換結合磁場を、より強力にかつ安定して得ることのできる積層膜、およびその積層構造を用いたスピンバルブ素子。【解決手段】表面粗さRa の値が強磁性体の{111}面の格子面間距離の値の90〜110%である下地層、強磁性体層、および反強磁性体層が順次積層された構成を有する積層膜、および表面粗さRa の値がこれと接する第一の強磁性体層の強磁性体の{111}面格子面間距離の90〜110%である下地層の上に、第一の強磁性体層、非磁性体層、第二の強磁性体層、および反強磁性体層が順次積層された構成を有する磁気抵抗素子。

Claim (excerpt)：

基板の上に下地層、強磁性体層、および反強磁性体層が順次積層された構成を有する積層膜であって、下地層の表面粗さRa の値が強磁性体の{111}面の格子面間距離の値の90〜110%であることを特徴とする積層膜。

IPC (3)：

H01F 10/30 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (3)：

H01F 10/30 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z