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J-GLOBAL ID:200903003342800631
フォトレジスト組成物
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998294291
Publication number (International publication number):2000122289
Application date: Oct. 15, 1998
Publication date: Apr. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】塗布ムラがなく、消泡性が良く、塗れ残りが発生せず、成膜成に優れ、かつ、保存安定性にも優れたフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】フォトレジスト原液、および、C8 F13(CH2 )2 CH(CH3)O(CH2 CH2 O)3 CH(CH3 )CH2 C8 F13等のRf -(CH2 )a CH(CH3 )O-(A1 -O)k -R1 で表される含フッ素化合物を含む。
Claim (excerpt):
フォトレジスト原液、および、下式1で表される含フッ素化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。【化1】 Rf -(CH2 )a CH(CH3 )O-(A1 -O)k -R1 ・・・式1ただし、式中の記号は以下の意味を示す。Rf1:炭素数1〜22のポリフルオロアルキル基、または、炭素-炭素結合間にエーテル性酸素原子が挿入された炭素数1〜22のポリフルオロアルキル基。a:1〜3の整数。A1 :炭素数2以上のアルキレン基であり、kが2以上の場合のA1 は2種以上であってもよい。R1 :水素原子、炭素数1〜18の炭化水素基、炭素数1〜18のアシル基、または-CH(CH3 )(CH2 )b -Rf2(ただし、bは1〜3の整数、Rf2は炭素数1〜22のポリフルオロアルキル基、または、炭素-炭素結合間にエーテル性酸素原子が挿入された炭素数1〜22のポリフルオロアルキル基。)。k:1〜100の整数。
IPC (2):
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 501
FI (2):
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 501
F-Term (8):
2H025AA00
, 2H025AB16
, 2H025BE01
, 2H025CB17
, 2H025CB29
, 2H025CB52
, 2H025CC03
, 2H025CC04
Patent cited by the Patent: