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J-GLOBAL ID：200903003344662724
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
煤孫 耕郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993326215
Publication number (International publication number)：1995153842
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：
【要約】【目的】 フォトリソグラフィー技術の解像度を超えた微細コンタクトホールを形成し、下層配線層と上部配線層との絶縁を充分に行なう。【構成】 層間膜上に、第1の導電体層と、絶縁膜と、第2の導電体層を順次積層し、異方性ドライエッチング法を用いて、第1の導電体層を選択的にエッチング除去する。その後オゾンTEOS・NSG膜をCVD法を用いて全面に成長させ、第1の導電体層の上部及び側壁に厚く、絶縁膜上に薄く形成する。第2の導電体膜上の絶縁膜と、NSG膜をエッチング除去し、サイドウォールを形成する。第1及び第2の導電体膜を、マスクとして異方性ドライエッチングにより微細コンタクトホールを開口する。これにより、層間絶縁膜厚が安定確保できるとともに、異方性ドライエッチングによるコンタクトホールサイズの拡大が生じないので、異電位間の絶縁性が安定確保できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上の第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上の第1の導電体膜と、該第1の導電体膜上の第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜上の第2の導電体膜と、前記第1の導電体膜と、前記第2の導電体膜とを接続する第1のコンタクトホールと、該第1のコンタクトホールの内側に、前記第1の導電体膜と、該第1の導電体膜より下層の導電体層と接続する、第2のコンタクトホールを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/768
, H01L 21/3213
H01L 21/90 B
, H01L 21/88 D
