化合物半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福田武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997351714
Publication number (International publication number)：1999186601
Application date： Dec. 19, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】不純物をドーピングしてもp形層の結晶性を損なうことなくp形層の抵抗率を低く抑えることができて電気的損失も低減することができ、したがって、発光素子として構成したときの発光効率を向上させることができるようにする。【解決手段】この発明は、p形電極を敷設するp形半導体層3を有する化合物半導体発光素子10において、p形半導体層3を、少なくとも準位の深い不純物と浅い不純物との2種類を含む複数の不純物をドーピングして形成した、ことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

p形電極を敷設するp形半導体層を有する化合物半導体発光素子において、上記p形半導体層を、少なくとも準位の深い不純物と浅い不純物との2種類を含む複数の不純物をドーピングして形成した、ことを特徴とする化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

p型半導体膜および半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-332199 Applicant：株式会社東芝
特開平4-168773
特開平4-247670

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