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J-GLOBAL ID:200903003351184307
シャドウマスク形成用の転写フィルム
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
大井 正彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003295939
Publication number (International publication number):2005063908
Application date: Aug. 20, 2003
Publication date: Mar. 10, 2005
Summary:
【課題】 絶縁層および導電層よりなる積層パターンが、シャドウマスク本来の機能を低下させることなく、しかも、ピンホール等の不具合を発生させることなしに、高い寸法精度で確実に得られ、所定のシャドウマスクを高い生産性で製造することができるシャドウマスク形成用の転写フィルムを提供すること。【解決手段】 転写フィルムは、支持フィルム上に、レジスト膜、導電性粉体含有樹脂層および絶縁性粉体含有樹脂層のいずれか一の層または複数の層が形成されてなる。このような転写フィルムは、レジスト膜、導電性粉体含有樹脂層および絶縁性粉体含有樹脂層を、基板上に一層ずつまたは複数層同時に転写することにより積層膜を形成し、レジスト膜を露光、現像することによりレジストパターンを形成し、エッチング処理を行うことによりレジストパターンに対応するパターンを形成し、その後、焼成処理を行って積層パターンを形成することにより得られる。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
導電性粉体含有樹脂層および絶縁性粉体含有樹脂層を含む積層膜が支持フィルム上に形成されてなることを特徴とするシャドウマスク形成用の転写フィルム。
IPC (2):
FI (2):
H01J29/07 Z
, B32B27/04 Z
F-Term (32):
4F100AA01B
, 4F100AA17B
, 4F100AA19B
, 4F100AB24A
, 4F100AG00A
, 4F100AG00B
, 4F100AK01A
, 4F100AK01B
, 4F100AK25A
, 4F100AK25B
, 4F100AK25D
, 4F100AK25J
, 4F100AK42C
, 4F100AL01A
, 4F100AL01B
, 4F100AL01D
, 4F100AT00C
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100BA10D
, 4F100CA30D
, 4F100DE01A
, 4F100DE01B
, 4F100GB90
, 4F100JA04B
, 4F100JG01A
, 4F100JG04B
, 5C031EE13
, 5C031EH08
Patent cited by the Patent:
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